Galaxy S25+, mẫu điện thoại cao cấp sắp ra mắt của Samsung đã xuất hiện trên Geekbench, tiết lộ thông tin về vi xử lý (SoC), RAM và hiệu năng đầy ấn tượng.
Cách đây không lâu, Galaxy S25 phiên bản tiêu chuẩn cũng đã từng xuất hiện trên Geekbench với RAM 12GB và chipset Snapdragon 8 Elite dành riêng cho dòng Galaxy. Giờ đây đến lượt Galaxy S25+ cao cấp hơn cũng được thử nghiệm, cho thấy điểm chuẩn vượt trội so với phiên bản cơ bản.
Cụ thể, Galaxy S25+ đạt 3160 điểm ở bài kiểm tra đơn nhân và 9941 điểm ở bài kiểm tra đa nhân. Trong khi đó, Galaxy S25 phiên bản tiêu chuẩn chỉ đạt lần lượt 2481 và 8658 điểm. Thậm chí, hiệu năng của Galaxy S25+ còn gần ngang ngửa với kết quả từ các thiết bị tham chiếu Snapdragon 8 Elite QRD của Qualcomm, chứng tỏ khả năng tối ưu hóa vượt bậc của Samsung.
Danh sách Geekbench cũng xác nhận rằng Galaxy S25+ sử dụng Snapdragon 8 Elite dành cho Galaxy, với tốc độ xung nhịp đạt 4,47 GHz, cao hơn mức 4,32 GHz của phiên bản tiêu chuẩn. Máy được trang bị RAM 12GB, tương tự như phiên bản tiền nhiệm Galaxy S24+.
Dòng Galaxy S25, bao gồm cả Galaxy S25+, được dự đoán sẽ ra mắt vào ngày 22 hoặc 23 tháng 1, hứa hẹn mang đến những cải tiến mạnh mẽ về hiệu năng và trải nghiệm người dùng.
