Một cựu tổng giám đốc của Samsung Electronics vừa bị tuyên án 7 năm tù sau khi bị cáo buộc tiết lộ công nghệ sản xuất bán dẫn quan trọng cho một công ty Trung Quốc. Đây được xem là một trong những mức án nặng nhất từng được áp dụng đối với các vụ rò rỉ công nghệ tại Hàn Quốc.
Theo phán quyết của Tòa án Trung tâm Seoul vào ngày 19 tháng 2, bị cáo Kim bị kết án 7 năm tù giam do vi phạm Đạo luật Bảo vệ Công nghệ Công nghiệp và Đạo luật Phòng chống Cạnh tranh Không lành mạnh. Ông bị cáo buộc đã tiết lộ trái phép các chi tiết về quy trình sản xuất DRAM 18 nanomet của Samsung Electronics, một trong những công nghệ cốt lõi có ý nghĩa quan trọng đối với ngành công nghiệp bán dẫn Hàn Quốc.
Tòa án nhấn mạnh rằng hành vi này gây ảnh hưởng nghiêm trọng đến sự cạnh tranh công bằng trong ngành công nghiệp bán dẫn, đồng thời làm suy yếu vị thế cạnh tranh quốc gia của Hàn Quốc. Những tổn thất mà Samsung phải gánh chịu được đánh giá là “không hề nhỏ”, đặc biệt khi xem xét đến chi phí khổng lồ mà công ty đã đầu tư để phát triển công nghệ này và đưa vào sản xuất hàng loạt.
Ông Kim bị cáo buộc đã cung cấp thông tin nhạy cảm cho ChangXin Memory Technologies (CXMT), nhà sản xuất DRAM duy nhất tại Trung Quốc. Bên công tố xác định rằng CXMT đã sử dụng dữ liệu này để rút ngắn đáng kể thời gian nghiên cứu và phát triển, vượt qua các rào cản công nghệ trong sản xuất DRAM.
Các điều tra viên cũng phát hiện rằng ông Kim đã nhận hối lộ lên tới hàng trăm triệu won từ CXMT, đồng thời lôi kéo khoảng 20 nhân sự từ Samsung Electronics và các công ty liên kết bằng những lời hứa hẹn về mức lương cao hơn.
Vụ việc này là một hồi chuông cảnh báo đối với ngành công nghiệp bán dẫn toàn cầu, khi công nghệ bán dẫn ngày càng trở thành tài sản chiến lược quan trọng và là mục tiêu săn đón của nhiều quốc gia cũng như các tập đoàn công nghệ lớn.
