Mặc dù là nhà sản xuất vi mạch lớn nhất thế giới, Samsung đã bị bỏ lại phía sau trong cuộc đua vi xử lý AI bởi hai đối thủ nhỏ hơn: Micron và SK Hynix. Samsung vẫn chưa thể cung cấp bộ nhớ HBM3E cho các vi xử lý AI hàng đầu của NVIDIA. Tuy nhiên, hãng đã thực hiện một việc quan trọng để củng cố tương lai: đặt hàng thiết bị sản xuất bộ nhớ HBM4.
Samsung đặt hàng thiết bị sản xuất DRAM 1c được sử dụng cho bộ nhớ HBM4
Theo một báo cáo mới, Samsung đã bắt đầu đặt hàng thiết bị sản xuất DRAM 1c. Chúng sẽ được sử dụng để xây dựng một dây chuyền sản xuất hàng loạt tại P4 trong khuôn viên Pyeongtaek của công ty.
Samsung được cho là đang phát triển bộ nhớ HBM4 sử dụng DRAM 1c, vốn tiên tiến hơn những gì đối đối thủ đang dùng. Micron và SK Hynix được cho là đã quyết định sử dụng DRAM 1b cho bộ nhớ HBM4 của họ. Mục tiêu của Samsung là bù lỗ đã mất trong phân khúc HBM3 và HBM3E trong vài năm qua.
Samsung được cho là đã bắt đầu thảo luận với các đối tác. Việc xây dựng dây chuyền sản xuất mới có thể hoàn thành vào giữa năm 2025.
Trong khi đó, hãng đã thử nghiệm bộ nhớ HBM3E 8 lớp và 12 lớp với NVIDIA nhưng không thể cung cấp chúng do các vấn đề về hiệu suất. Bây giờ, Samsung được cho là đang tinh chỉnh chúng một chút để có thể bắt đầu cung cấp bộ nhớ HBM3E cho NVIDIA.
SK Hynix đang đặt mục tiêu hoàn thành quy trình tape-out cho bộ nhớ HBM4 vào quý IV năm nay. Tape-out đề cập đến quá trình cung cấp thiết kế cuối cùng cho nhóm sản xuất.
Sau tape-out, quá trình thử nghiệm sản xuất sẽ bắt đầu. Nếu mọi thứ diễn ra suôn sẻ, việc sản xuất hoàn loạt có thể được khởi động. Vì SK Hynix sẽ sử dụng DRAM 1b cho bộ nhớ HBM4, quá trình sản xuất có thể ổn định hơn.
Hy vọng rằng Samsung sẽ không phải đối mặt với các vấn đề về hiệu suất với bộ nhớ HBM4 như với HBM3 và HBM3E ở thời điểm hiện tại. Các công ty phân tích thị trường dự đoán nhu cầu về bộ nhớ HBM sẽ cao trong năm tới. Do đó, Samsung cần làm tốt trong phân khúc này.
