Samsung đang xây dựng một nhà máy sản xuất vi mạch tối tân ở Taylor, Texas, Hoa Kỳ. Hãng đã chi hàng tỷ đô la vào nhà máy và gần đây đã nhận 4,74 tỷ đô la ưu đãi từ chính phủ Hoa Kỳ. Samsung muốn bắt đầu sản xuất hàng loạt vi mạch tại nhà máy này vào năm 2026 để cạnh tranh với TSMC.
Samsung có thể sản xuất vi mạch 2nm ở Texas, Hoa Kỳ
Một báo cáo mới tuyên bố rằng Samsung Foundry sẽ bắt đầu sản xuất vi mạch tối tân tại nhà máy Taylor vào năm 2026. Hãng có thể muốn sản xuất vi mạch 2nm và 3nm tại nhà máy này. Công ty sẽ mang tất cả các trang thiết bị cần thiết đến vào đầu năm 2026 và bắt đầu sản xuất trước cuối năm đó.
Để so sánh, TSMC – đối thủ lớn nhất của Samsung – đã bắt đầu sản xuất vi mạch 4nm tại nhà máy Arizona của họ. Vào cuối năm nay, TSMC sẽ bắt đầu sản xuất vi mạch 2nm và 3nm.
Trong khi Samsung Foundry có kế hoạch sử dụng công nghệ Gate All Around (GAA) cho cả vi mạch 2nm và 3nm, TSMC sẽ sử dụng công nghệ EUV cho tiến trình 3nm và GAA cho tiến trình 2nm.
Mặc dù bắt đầu muộn hơn so với TSMC, Samsung sẽ tạo ra sự khác biệt với dịch vụ “chìa khóa trao tay” được tối ưu hóa cho bộ xử lý thần kinh. Cụ thể hơn, công ty sẽ cung cấp tất cả các dịch vụ cần thiết dưới một mái nhà, giảm 20% thời gian yêu cầu từ quá trình phát triển đến sản xuất của các công ty.
Vài năm trước, Samsung đã tiết lộ kế hoạch Vision 2030 với mong muốn trở thành công ty hàng đầu thế giới về vi mạch bán dẫn vào năm 2030. Tuy nhiên, hãng đã phải đối mặt với nhiều thất bại, một phần do công nghệ của họ và một phần do các chiến lược và vấn đề chính trị.
Các nhà phân tích nói rằng cơ hội sống sót của Samsung Foundry sẽ tăng cao nếu bộ phận này được tách ra từ Samsung Electronics. Tuy nhiên, Chủ tịch Samsung Electronics Lee Jay-yong đã công bố vài tháng trước rằng công ty sẽ không làm như vậy.
