Samsung Galaxy S25 Ultra mới đây đã xuất hiện trên Geekbench với phiên bản ép xung của Snapdragon 8 Elite. Tuy nhiên, điểm số hiệu năng của chiếc flagship này lại không hoàn toàn đáp ứng được kỳ vọng, khi không thể vượt qua mốc 10.000 điểm trong bài kiểm tra đa lõi, ngay cả với phiên bản SoC đã được ép xung.
Mặc dù Galaxy S25 Ultra không phải là thiết bị đầu tiên sở hữu Snapdragon 8 Elite, nhưng nó được kỳ vọng sẽ là một trong những chiếc điện thoại đầu tiên trang bị phiên bản ép xung của bộ vi xử lý này. Tuy nhiên, bài kiểm tra trên Geekbench cho thấy hiệu năng của SoC này không quá nổi bật. Cụ thể, Galaxy S25 Ultra đạt 3.049 điểm lõi đơn và 9.793 điểm đa lõi.
Phiên bản Snapdragon 8 Elite được sử dụng trong Galaxy S25 Ultra có cụm 6 lõi hiệu suất duy trì tốc độ xung nhịp ở mức 3,53 GHz. Trong khi đó, cụm 2 lõi hiệu năng cao được ép xung lên 4,47 GHz, tăng nhẹ so với mức 4,32 GHz trên phiên bản gốc. Dù sự thay đổi này có cải thiện điểm số, nhưng vẫn chưa đủ để đưa Galaxy S25 Ultra vượt qua một số thiết bị khác. Ví dụ, RedMagic 10 Pro với Snapdragon 8 Elite và bộ làm mát chủ động tích hợp, đạt hơn 10.000 điểm đa lõi và gần 3.300 điểm lõi đơn.
Điều đáng chú ý là thiết bị được thử nghiệm trên Geekbench có dung lượng RAM 12GB. Các tin đồn trước đó cho thấy Samsung có thể ra mắt phiên bản Galaxy S25 Ultra cao cấp hơn với RAM 16GB, có khả năng mang lại điểm số hiệu năng tốt hơn. Tuy nhiên, mức chênh lệch này có lẽ sẽ không đủ lớn để tạo nên sự khác biệt đáng kể.
Cũng cần lưu ý rằng bài kiểm tra chuẩn này diễn ra khi Galaxy S25 Ultra vẫn chưa chính thức ra mắt. Do đó, có khả năng Samsung chưa thực hiện các tối ưu hóa cuối cùng cho phiên bản ép xung của Snapdragon 8 Elite. Với sự kiện ra mắt dòng Galaxy S25 sắp diễn ra dự kiến vào ngày 22 tháng 1 năm 2025, người dùng có thể kỳ vọng vào những cải tiến hiệu năng trước khi sản phẩm chính thức lên kệ.
