Dù còn hơn một năm nữa mới ra mắt, Galaxy S27 Ultra đã bắt đầu thu hút sự chú ý với những thông tin rò rỉ đầu tiên về phần cứng. Theo leaker Digital Chat Station, mẫu flagship năm 2027 của Samsung nhiều khả năng sẽ được trang bị Snapdragon 8 Elite Gen 6 – con chip cao cấp của Qualcomm được sản xuất trên tiến trình 2nm N2P tiên tiến của TSMC.
Hiện tại, Snapdragon 8 Elite Gen 5 trên dòng Galaxy S26 sử dụng tiến trình N3P (3nm), vốn đã mang lại hiệu năng và khả năng tiết kiệm năng lượng vượt trội. Tuy nhiên, với Snapdragon 8 Elite Gen 6, Qualcomm được cho là sẽ bỏ qua tiến trình N2 thông thường để chuyển thẳng sang N2P, phiên bản 2nm tối ưu hơn với hiệu năng cao hơn 5% và mức tiêu thụ điện năng giảm tới 36% so với thế hệ 3nm trước. Đây là cột mốc công nghệ quan trọng giúp TSMC củng cố vị thế trong cuộc đua bán dẫn với Samsung Foundry.
Theo nguồn tin, Snapdragon 8 Elite Gen 6 không chỉ mạnh hơn mà còn hỗ trợ RAM LPDDR6 và bộ nhớ UFS 5.0, hai tiêu chuẩn phần cứng di động thế hệ mới hứa hẹn tăng tốc độ xử lý, truyền tải dữ liệu và tối ưu hiệu năng tổng thể. Nếu được trang bị đầy đủ, Galaxy S27 Ultra sẽ sở hữu cấu hình “khủng” nhất từng có trên một thiết bị Galaxy.
Dĩ nhiên, công nghệ 2nm đi kèm với chi phí sản xuất cực cao, khiến giá thành chip dự kiến sẽ tăng mạnh. Điều này đồng nghĩa giá bán của Galaxy S27 Ultra có thể cũng cao hơn đáng kể so với thế hệ trước, đặc biệt trong bối cảnh Samsung đang tiếp tục đẩy mạnh chiến lược “siêu flagship” ở phân khúc cao cấp.
Trong khi đó, phía Samsung Foundry cũng đang phát triển Exynos 2600 trên tiến trình 2nm nội bộ, dự kiến ra mắt cùng dòng Galaxy S26 tại Hàn Quốc vào năm 2026. Điều này cho thấy Samsung đang theo đuổi song song hai hướng: tiếp tục hợp tác với Qualcomm, đồng thời tăng cường sức mạnh cho chip Exynos do chính hãng phát triển.
