Giới chức Hàn Quốc vừa khởi tố ba cựu lãnh đạo và nhà nghiên cứu của Samsung Electronics vì cáo buộc đánh cắp công nghệ lõi về sản xuất bộ nhớ DRAM 18nm và chuyển giao cho Changxin Memory Technologies (CXMT) – công ty bán dẫn hàng đầu Trung Quốc. Vụ việc được cho là đã gây thiệt hại lên tới 5 nghìn tỷ won cho Samsung chỉ trong năm 2024.
Theo Văn phòng Công tố quận trung tâm Seoul, một cựu giám đốc từng phụ trách sản xuất DRAM của Samsung tại Trung Quốc (gọi tắt là A) cùng hai cựu nhà nghiên cứu (B và C) đã gia nhập CXMT và giữ các vị trí chủ chốt trong đội ngũ phát triển DRAM thế hệ hai. Nhóm này bị cáo buộc sử dụng trái phép công nghệ quy trình 18nm của Samsung để sản xuất hàng loạt chip nhớ tại Trung Quốc.
CXMT được thành lập với khoản đầu tư 2,6 nghìn tỷ won từ chính quyền địa phương Trung Quốc và ngay từ đầu đã tập trung tuyển dụng nhân sự từ Samsung để thâu tóm công nghệ then chốt. Các công tố viên cho biết nhóm phát triển thế hệ hai đã nhận dữ liệu rò rỉ từ nhóm phát triển đời đầu của CXMT, sau đó kiểm chứng bằng cách tháo rời sản phẩm Samsung và tiến hành thử nghiệm sản xuất, từ đó đưa CXMT trở thành công ty đầu tiên của Trung Quốc và thứ tư thế giới sản xuất thành công DRAM 18nm vào năm 2023.
Để lôi kéo, CXMT đã trả cho các cựu nhân sự Samsung mức lương cao gấp 3 đến 5 lần so với thu nhập cũ. Ngoài khoản thiệt hại trực tiếp 5 nghìn tỷ won của Samsung trong năm 2024, giới chức cảnh báo con số tổn thất trong tương lai có thể lên tới hàng chục nghìn tỷ won.
Trước đó, vào năm ngoái, một số nhân sự khác của Samsung liên quan đến nhóm phát triển DRAM đời đầu tại CXMT cũng đã bị bắt và kết án tù. Vụ việc một lần nữa cho thấy mức độ rủi ro nghiêm trọng của các tội phạm rò rỉ công nghệ lõi quốc gia, khi không chỉ ảnh hưởng tới doanh nghiệp mà còn đe dọa trực tiếp đến năng lực cạnh tranh của cả nền kinh tế Hàn Quốc.
