Qualcomm sẽ trình làng Snapdragon 8 Gen 4 tại Hội nghị thượng đỉnh Snapdragon vào tháng 10 năm nay và con chip này có thể sẽ được trang bị trên dòng điện thoại cao cấp thế hệ tiếp theo Galaxy S25.
Theo nhiều báo cáo, SoC sắp tới sẽ mang đến một bước tiến nhảy vọt về hiệu suất so với Snapdragom 8 Gen 3 được sử dụng trên Galaxy S24. Trước đó, xuất hiện một tin đồn rằng Snapdragn 8 Gen 4 đạt được số điểm đơn nhân trên Geekbench là 2.800 điểm, trong khi số điểm đơn nhân của Snapdragon 8 Gen 3 là 2.100 điểm.
Snapdragon 8 Gen 4 mang lại hiệu suất vượt trội hơn Apple A18
Một nguồn tin từ Trung Quốc tiết lộ rằng Snapdragon 8 Gen 4 sẽ có thể đạt được điểm lõi đơn là 3.500 điểm. Nếu là sự thật thì đây quả là một điểm số rất ấn tượng. Mặt khác, vi xử lý Apple A18 dự kiến sẽ được trang bị trên các mẫu iPhone 16 Pro được cho là đạt được 3.300 điểm trong bài kiểm tra. Rò rỉ cũng cho biết hiệu năng đa lõi và GPU của Snapdragon 8 Gen 4 cũng sẽ nhanh hơn so với Apple A18.
Thông qua rò rỉ, có thể thấy hiệu suất Snapdragon 8 Gen 4 mạnh mẽ hơn so với Apple A18, điều này có thể giúp Galaxy S25 vượt trội hơn iPhone 16 Pro. Nếu tin tức này là chính xác thì Samsung đã thành công khi lần đầu vượt mặt iPhone về hiệu năng lõi đơn.
Snapdragon 8 Gen 4 sở hữu tần số xung nhịp CPU cao nhất trong ngành
Snapdragon 8 Gen 4 sử dụng các lõi Oryon làm lõi chính và lõi Phoenix là lõi hiệu năng cao. Theo một rò rỉ, các lõi Oryon sẽ có tốc độ xung nhịp lên tới 4,3GHz, một con số chưa từng xuất hiện trong ngành di động trước đó. Ngoài ra, lõi Pheonix cũng có tốc độ xung nhịp là 3,8GHz.
Người truyền tin cũng tiết lộ rằng để đạt được hiệu năng đó, vi xử lý có thể sẽ tiêu thụ điện năng lên đến 1,3V. Điều này có thể gây ra một số vấn đề bao gồm quá nhiệt và điều tiết nhiệt. Đồng thời, Snapdragon 8 Gen 4 sẽ là chipset đầu tiên của Qualcomm sử dụng N3E ( quy trình chế tạo 3nm).
