Trước khi dòng Galaxy S25 ra mắt, đã có nhiều tin đồn cho rằng Samsung có thể sẽ không sử dụng chip DRAM và bộ nhớ lưu trữ nội bộ do chính hãng sản xuất trên các mẫu flagship mới. Hiện tại, thông tin này đã được xác nhận là chính xác.
Theo thông tin từ Micron, nhà sản xuất chip nhớ của Mỹ, Galaxy S25, Galaxy S25+ và Galaxy S25 Ultra đều sử dụng chip LPDDR5X DRAM và bộ nhớ UFS 4.0 do họ cung cấp. Thông báo này được đăng trên X (trước đây là Twitter) và sau đó đã được bộ phận di động của Samsung xác nhận. Đây là một động thái đáng chú ý bởi Micron là một trong những đối thủ cạnh tranh trực tiếp của Samsung trong lĩnh vực chip nhớ bán dẫn.
Micron cho biết chip DRAM LPDDR5X của họ được sản xuất bằng công nghệ quy trình 1β (1-beta) tiên tiến, giúp tối ưu hóa hiệu suất và giảm mức tiêu thụ điện năng, từ đó cải thiện thời lượng pin trên các thiết bị sử dụng chúng.
Điều này đánh dấu lần đầu tiên Samsung sử dụng bộ nhớ RAM và chip lưu trữ từ một nhà sản xuất bên thứ ba trên dòng flagship của mình. Trước đây, tất cả các thiết bị dòng Galaxy S và Galaxy Z đều sử dụng chip nhớ và bộ nhớ UFS do chính Samsung Semiconductor sản xuất. Việc Samsung chọn Micron thay vì bộ phận bán dẫn nội bộ được xem là một đòn giáng mạnh vào mảng kinh doanh chip nhớ của tập đoàn Hàn Quốc.
Mark Montierth, Phó Chủ tịch tập đoàn kiêm Tổng Giám đốc Đơn vị Kinh doanh Di động của Micron, nhận định: “Samsung đang thiết lập một tiêu chuẩn mới cho điện thoại AI, giúp chúng trở thành người bạn đồng hành thực sự với trí tuệ nhân tạo, mang lại trải nghiệm di động được cá nhân hóa và nhận biết ngữ cảnh nhờ bộ nhớ và lưu trữ hàng đầu của Micron.”
Động thái này có thể phản ánh sự cạnh tranh ngày càng gay gắt trong lĩnh vực bán dẫn cũng như chiến lược tối ưu hóa chuỗi cung ứng của Samsung. Liệu Samsung có quay lại sử dụng chip DRAM và bộ nhớ UFS tự sản xuất trong tương lai hay không, điều đó vẫn còn phải chờ thời gian trả lời.
