Galaxy S23 là dòng điện thoại đầu tiên của Samsung được trang bị chipset Snapdragon tùy chỉnh từ Qualcomm. Bộ vi xử lý mới hứa hẹn mang đến khả năng xử lý tốt hơn nhờ xung nhịp CPU cao hơn và GPU mạnh hơn.
Bài kiểm tra điểm số hiệu năng gần đây cho thấy dòng Galaxy S23 mạnh hơn gấp đôi so với Galaxy S22 chạy Exynos 2200. Tuy nhiên tất cả những cải tiến này có thể sẽ phải trả giá bằng việc thiết bị sẽ nóng hơn khi hoạt động ở mức hiệu năng cao trong thời gian dài. Để khắc phục vấn đề quá nhiệt, Samsung dường như đã trang bị cho các điện thoại mới của mình buồng hơi lớn hơn. Mặc dù vẫn chưa có hình ảnh thực tế nào của hệ thống làm mát bên trong Galaxy S23, nhưng một bản vẽ thô đã cho thấy điều này, hứa hẹn dòng sản phẩm năm nay có khả năng làm mát tốt hơn so với thế hệ trước.
Có thể thấy Galaxy S23, Galaxy S23+ và Galaxy S23 Ultra có buồng hơi lớn hơn đáng kể so với những người tiền nhiệm của chúng. Đó là một hệ thống tản nhiệt bằng đồng với chất lỏng bên trong. Chất lỏng bay hơi thành khí và sẽ ngưng tụ trên các bề mặt giúp làm giảm nhiệt độ của máy.
Ngoài bộ vi xử lý Snapdragon 8 Gen 2 độc quyền, Galaxy S23 cũng được trang bị RAM LPDDR5X và bộ nhớ UFS 4.0 nhanh hơn. Chỉ có duy nhất phiên bản Galaxy S23 8GB / 128GB được cho là vẫn sử dụng chuẩn UFS 3.1 cũ hơn. Tất cả đều hứa hẹn mang đến hiệu suất cao hơn.
Mặc dù đã cải thiện khả năng làm mát, Samsung dường như vẫn giới hạn hiệu suất trên Galaxy S23. Cụ thể, các mẫu điện thoại này vẫn có nút chuyển đổi chế độ bật tắt GOS bên trong “Game Booster Labs”. Vẫn chưa rõ điều này có ảnh hưởng gì đến trải nghiệm thực tế hay không, nhưng hy vọng công ty Hàn Quốc sẽ không bị vướng vào một vụ lùm xùm về GOS như năm ngoái đối với dòng sản phẩm vừa mới ra mắt.
