Galaxy S26 Edge, mẫu flagship siêu mỏng thế hệ mới của Samsung, vừa xuất hiện lần đầu trên cơ sở dữ liệu Geekbench, hé lộ những thông số hiệu năng đầy hứa hẹn. Dù vi xử lý Snapdragon 8 Elite 2 bên trong bị giới hạn xung nhịp ở mức 4.0GHz để kiểm soát nhiệt, chiếc máy vẫn đạt điểm số ấn tượng, cho thấy tiềm năng mạnh mẽ khi chạy ở tốc độ tối đa.
Theo thông tin rò rỉ, Galaxy S26 Edge sẽ thay thế phiên bản S26+, tiếp nối thiết kế mỏng nhẹ chỉ 5,5mm từng gây chú ý trên S25 Edge. Thiết bị mang số hiệu SM-S947U, chạy Snapdragon 8 Elite 2 kết hợp RAM 12GB và Android 16 (nhiều khả năng với One UI 8.5). Con chip mới của Qualcomm sở hữu hai nhân tốc độ tối đa 4,74GHz và sáu nhân còn lại đạt 3,63GHz. Tuy nhiên, trong bài kiểm tra này, Samsung giới hạn tốc độ ở 4.0GHz nhằm tối ưu tản nhiệt cho thân máy siêu mỏng.
Kết quả, Galaxy S26 Edge ghi được 3.393 điểm đơn nhân và 11.515 điểm đa nhân trên Geekbench — vượt qua cả Snapdragon 8 Elite chạy hết công suất. Điều này cho thấy khi được mở toàn bộ sức mạnh, Snapdragon 8 Elite 2 hoàn toàn có thể thiết lập chuẩn hiệu năng mới cho smartphone. Trong khi đó, Galaxy S26 Pro và S26 Ultra dự kiến sẽ khai thác tối đa xung nhịp 4,74GHz. Con chip cũng đi kèm GPU Adreno 840, hứa hẹn mang lại hiệu suất đồ họa mạnh mẽ cho game và các ứng dụng nặng.
Ngoài ra, Samsung còn đang phát triển Exynos 2600 — vi xử lý 10 nhân sản xuất trên tiến trình 2nm nội bộ — để trang bị cho một số thị trường của Galaxy S26 Pro và S26 Edge. Khả năng Exynos 2600 có được sử dụng rộng rãi hay không sẽ phụ thuộc vào việc nó có đủ sức cạnh tranh với Snapdragon 8 Elite 2 hay không. Nếu khoảng cách hiệu năng quá lớn, Samsung nhiều khả năng sẽ tiếp tục ưu tiên chip Qualcomm cho các bản flagship của mình.
