Một cựu giám đốc cấp cao của Samsung Electronics vừa bị Tòa án cấp cao Seoul tuyên án 6 năm tù và phạt 200 triệu won vì làm rò rỉ quy trình sản xuất chip bán dẫn 18nm cho một công ty Trung Quốc – hành vi bị xem là ảnh hưởng nghiêm trọng đến an ninh công nghệ quốc gia Hàn Quốc.
Trong phiên sơ thẩm, ông Kim bị kết án 7 năm tù, mức phạt cao nhất từ trước đến nay trong các vụ án liên quan đến rò rỉ công nghệ tại Hàn Quốc. Tuy nhiên, tòa phúc thẩm đã giảm nhẹ xuống còn 6 năm sau khi xem xét các tình tiết giảm nhẹ như việc ông không có tiền án và khó khăn trong tìm kiếm việc làm sau khi bị sa thải.
Tòa cho rằng ông Kim là người chủ mưu, hành vi có tính tổ chức và gây thiệt hại nghiêm trọng không thể khắc phục cho Samsung cũng như ngành công nghiệp bán dẫn Hàn Quốc. Dù vậy, bản án được giảm do ông không trực tiếp làm lộ công nghệ cốt lõi nhất của Samsung và đã có hoàn cảnh cá nhân dẫn đến việc làm việc cho đối thủ Trung Quốc.
Theo cáo buộc, ông Kim đã tiết lộ thông tin quy trình sản xuất chip DRAM 18nm của Samsung để phục vụ hoạt động phát triển sản phẩm tại Changxin Memory Technologies (CXMT) – nhà sản xuất DRAM duy nhất của Trung Quốc. Ông bị cho là đã nhận hàng trăm triệu won tiền hối lộ và lôi kéo hơn 20 kỹ sư từ Samsung và các công ty liên kết bằng các đề nghị lương cao.
Dù cả ông Kim và phía công tố đều kháng cáo – một bên phủ nhận vai trò chủ mưu, bên còn lại cho rằng mức án chưa đủ nặng – tòa phúc thẩm vẫn giữ nguyên phần lớn nội dung bản án sơ thẩm.
Vụ việc một lần nữa gióng lên hồi chuông cảnh báo về nguy cơ thất thoát công nghệ cao tại các tập đoàn lớn, đặc biệt là trong lĩnh vực chiến lược như bán dẫn – nơi đang có sự cạnh tranh khốc liệt giữa Hàn Quốc, Trung Quốc và Mỹ.
