Một vụ rò rỉ công nghệ bán dẫn đặc biệt nghiêm trọng vừa được phanh phui, liên quan đến công nghệ DRAM tiến trình 10 nanomet của Samsung và hoạt động chuyển giao trái phép sang Trung Quốc. Theo kết quả điều tra, một cựu nghiên cứu viên đã bí mật sao chép toàn bộ tài liệu quy trình sản xuất bằng hình thức chép tay, sau đó chuyển cho doanh nghiệp bộ nhớ Trung Quốc để phục vụ phát triển chip.
Theo hồ sơ vụ án, trong một đêm làm việc muộn tại khu nghiên cứu bán dẫn của Samsung Electronics, nghiên cứu viên ký hiệu A đã tiếp cận tài liệu “thông tin quy trình DRAM cấp 10 nanomet”. Đây là bộ tài liệu mô tả quy trình sản xuất DRAM với gần 600 công đoạn, bao gồm tên từng bước, thiết bị sử dụng và các thông số vận hành chi tiết. Trong ngành bán dẫn, tập tài liệu này được gọi là PRP (Process Recipe Plan) và được xem là phần cốt lõi nhất của công nghệ sản xuất bộ nhớ, không thể tái tạo trong thời gian ngắn chỉ bằng tiền hay tuyển dụng nhân sự.
Thay vì sao chép dữ liệu điện tử hay sử dụng thiết bị lưu trữ ngoài vốn dễ bị hệ thống an ninh phát hiện, A lựa chọn phương thức thủ công: chép từng dòng tài liệu vào sổ tay do công ty cấp. Cuốn sổ có hình thức như tài liệu công việc thông thường nên dễ dàng vượt qua kiểm soát an ninh. Thời điểm đó, Samsung chưa triển khai loại giấy đặc biệt có thể phát hiện khi mang tài liệu chứa vật liệu kim loại ra khỏi khu vực làm việc.
Sau một thời gian, cuốn sổ này được chuyển cho B, cựu lãnh đạo cấp cao của Samsung, người đang giữ vai trò đứng đầu bộ phận phát triển tại Changxin Memory Technologies (CXMT). Các công tố viên nhấn mạnh, khác với thiết kế chip, công nghệ quy trình bán dẫn là kết quả tích lũy của nhiều năm sản xuất hàng loạt, liên tục điều chỉnh để nâng tỷ lệ thành phẩm. Do đó, việc sở hữu bộ tài liệu này mang ý nghĩa quyết định đối với một nhà sản xuất chip non trẻ.
Theo cơ quan điều tra, Samsung đã đầu tư khoảng 1,6 nghìn tỷ won trong vòng 5 năm để thương mại hóa DRAM 10nm. Trong khi đó, CXMT được thành lập năm 2016 và nhận khoảng 2,6 nghìn tỷ won vốn hỗ trợ từ chính quyền địa phương Trung Quốc trong khuôn khổ chiến lược xây dựng ngành công nghiệp bộ nhớ nội địa.
Từ các tài liệu bị rò rỉ, CXMT đã đẩy nhanh quá trình phát triển DRAM, đồng thời tăng cường tuyển dụng kỹ sư từng làm việc tại Samsung. Quá trình điều tra còn phát hiện doanh nghiệp này gián tiếp tiếp cận thêm công nghệ quy trình từ SK hynix thông qua các đối tác trung gian. Nhờ đó, đến năm 2023, CXMT đã phát triển thành công DRAM tiến trình 10nm và hiện tiếp tục mở rộng sang HBM, dòng bộ nhớ hiệu năng cao phục vụ AI và trung tâm dữ liệu.
Cơ quan công tố ước tính, riêng thiệt hại doanh thu của Samsung do vụ rò rỉ này đã vào khoảng 5 nghìn tỷ won (khoảng 3,5 tỷ USD), trong khi tác động tổng thể tới nền kinh tế có thể lên tới hàng chục nghìn tỷ won. Phân tích chữ viết tay và đối chiếu tài liệu giữa hai bên cho thấy mức độ trùng khớp lên tới 98,2 phần trăm, đủ cơ sở xác định nguồn gốc công nghệ bị đánh cắp.
Đáng chú ý, nhóm liên quan còn thiết lập quy tắc hành xử nội bộ để né tránh theo dõi, bao gồm sử dụng mã cảnh báo khẩn cấp, liên tục thay đổi công ty vỏ bọc và địa điểm làm việc. A hiện đã sinh sống tại Trung Quốc khoảng 10 năm, dù Hàn Quốc đã hủy hộ chiếu và ban hành lệnh truy nã quốc tế. Tuy nhiên, khả năng hợp tác dẫn độ được đánh giá là rất thấp, bất chấp hiệp định dẫn độ song phương đã có hiệu lực từ nhiều năm trước.
